Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP

Transistor de canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 24.83€ 30.04€
2 - 2 23.59€ 28.54€
3 - 4 23.09€ 27.94€
5 - 9 22.59€ 27.33€
10 - 14 22.34€ 27.03€
15 - 19 21.85€ 26.44€
20+ 21.10€ 25.53€
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Transistor de canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NC80ZFP. Transistor de canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Zener-Protected. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PowerMesh. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 01:25.

Documentación técnica

Productos equivalentes :

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STP8NK80ZFP

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Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI ...
STP8NK80ZFP
Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 24.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P8NK80ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V
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