Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60
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Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60. Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: PowerMesh. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 01:25.

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Transistor de canal N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 5.8A. DI...
IRFB9N60A
Transistor de canal N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1400pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 37A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. RoHS: sí. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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