Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW10NK60Z

Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW10NK60Z. Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.65 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W10NK60Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 156W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 00:25.