Transistor de canal N STW11NK90Z, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.82 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 3000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 240pF. Diodo Trr (Mín.): 584 ns. Función: ZenerProtect. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 36.8A. Marcado en la caja: W11NK90Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(apagado): 76 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: SuperMesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58