Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 5.06€ | 6.12€ |
5 - 9 | 4.81€ | 5.82€ |
10 - 20 | 4.55€ | 5.51€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 5.06€ | 6.12€ |
5 - 9 | 4.81€ | 5.82€ |
10 - 20 | 4.55€ | 5.51€ |
Transistor de canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V - STW12NK90Z. Transistor de canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 3500pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 964ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacidad ESD mejorada. Identificación (diablillo): 44A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W12NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 88 ns. Td(encendido): 31 ns. Tecnología: Transistor MOSFET de potencia SuperMESH™ protegido por diodo zener. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.
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