Transistor de canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80

Transistor de canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80. Transistor de canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 10.71A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: 18NM80. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.