Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 6.64€ | 8.03€ |
2 - 2 | 6.31€ | 7.64€ |
3 - 4 | 6.11€ | 7.39€ |
5 - 9 | 5.97€ | 7.22€ |
10 - 19 | 5.84€ | 7.07€ |
20 - 29 | 5.64€ | 6.82€ |
30+ | 5.44€ | 6.58€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.64€ | 8.03€ |
2 - 2 | 6.31€ | 7.64€ |
3 - 4 | 6.11€ | 7.39€ |
5 - 9 | 5.97€ | 7.22€ |
10 - 19 | 5.84€ | 7.07€ |
20 - 29 | 5.64€ | 6.82€ |
30+ | 5.44€ | 6.58€ |
Transistor de canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - STW18NM80. Transistor de canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 10.71A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.25 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1630pF. Costo): 750pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: 18NM80. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 00:25.
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