Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW20NM60

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW20NM60. Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1450pF. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W20NM60. Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 6 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.