Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.81€ | 4.61€ |
5 - 9 | 3.62€ | 4.38€ |
10 - 14 | 3.43€ | 4.15€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.81€ | 4.61€ |
5 - 9 | 3.62€ | 4.38€ |
10 - 14 | 3.43€ | 4.15€ |
Transistor de canal N, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW5NK100Z. Transistor de canal N, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.7 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 1154pF. Costo): 106pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 605 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: W5NK100Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 51.5 ns. Td(encendido): 22.5 ns. Tecnología: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.
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