Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 5.64€ | 6.82€ |
2 - 2 | 5.36€ | 6.49€ |
3 - 4 | 5.19€ | 6.28€ |
5 - 9 | 5.08€ | 6.15€ |
10 - 19 | 4.96€ | 6.00€ |
20 - 29 | 4.79€ | 5.80€ |
30+ | 4.62€ | 5.59€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.64€ | 6.82€ |
2 - 2 | 5.36€ | 6.49€ |
3 - 4 | 5.19€ | 6.28€ |
5 - 9 | 5.08€ | 6.15€ |
10 - 19 | 4.96€ | 6.00€ |
20 - 29 | 4.79€ | 5.80€ |
30+ | 4.62€ | 5.59€ |
Transistor de canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V - TIG056BF-1E. Transistor de canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-3FS. Tensión colector/emisor Vceo: 430V. C(pulg): 5500pF. Costo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Varios: control de flash y estroboscopio. Función: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diodo de germanio: Supresor. Corriente del colector: 240A. Ic (pulso): 240A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 46 ns. Tecnología: Enhancement type. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 3.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 33V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 03/07/2025, 23:25.
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