Transistor de canal N TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.7 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): 2-10U1B. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 1350pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 135pF. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 30Ap. Marcado en la caja: K8A65D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 75 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSVII). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 19:08