Transistor de canal N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V - VNP10N07

Transistor de canal N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V - VNP10N07. Transistor de canal N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 70V. Costo): 350pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 125 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Mosfet de potencia totalmente autoprotegido. Protección G-S: diodo Zener. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 50uA. IGF: 50mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 230 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: OMNIFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Limitación de corriente lineal. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 03:25.