Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.19€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.09€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.04€ |
100 - 157 | 0.75€ | 0.91€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.19€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.09€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.04€ |
100 - 157 | 0.75€ | 0.91€ |
Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V - ZXMN7A11GTA. Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 70V. C(pulg): 298pF. Costo): 35pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 0uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11.5 ns. Td(encendido): 1.9 ns. Tecnología: MOSFET en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante Diodes Inc.. Cantidad en stock actualizada el 03/07/2025, 15:25.
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