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Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08P20V

Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08P20V
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1 - 1 19.05€ 23.05€
2 - 2 18.10€ 21.90€
3 - 4 17.15€ 20.75€
5 - 7 16.19€ 19.59€
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Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08P20V. Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUDIO POWER MOSFET. IDss (mín.): 10mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Spec info: transistor complementario (par) ALF08N20V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 01:25.

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ECX10P20

ECX10P20

Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Viviend...
ECX10P20
Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: Transistor de potencia MOSFET de canal P. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementario (par) ECX10N20. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS
ECX10P20
Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tecnología: Transistor de potencia MOSFET de canal P. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementario (par) ECX10N20. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS
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