Transistor de canal P, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v - AO4407A

Transistor de canal P, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v - AO4407A. Transistor de canal P, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2060pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. DI (T=100°C): 7.4A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.7W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0085 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 4407A. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 21:25.