Transistor de canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84

Transistor de canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84. Transistor de canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 130mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 25pF. Costo): 15pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 520mA. DI (T=100°C): 75mA. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 11W. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Resistencia en encendido Rds activado: 6 Ohms. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 11W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 7 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: Transistor D-MOS vertical en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante Yangjie Electronic Technology. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 09:25.