Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.26€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.25€ | 0.30€ |
100 - 249 | 0.13€ | 0.16€ |
250 - 499 | 0.12€ | 0.15€ |
500 - 40375 | 0.12€ | 0.15€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.26€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.25€ | 0.30€ |
100 - 249 | 0.13€ | 0.16€ |
250 - 499 | 0.12€ | 0.15€ |
500 - 40375 | 0.12€ | 0.15€ |
Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A - BSS84LT1G-PD. Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: Pd (disipación de potencia, máx.). Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3.6 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 12 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 36pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 09:25.
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