Transistor de canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P

Transistor de canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P. Transistor de canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. DI (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 182pF. Costo): 56pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Single P-Channel, Logic Level. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 5A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 358. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.105 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 09:25.