Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ

Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ. Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1385pF. Costo): 275pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: controlador de carga de batería. Identificación (diablillo): 50A. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnología: canal P. Spec info: Nivel de protección ESD de HBM de 3,8 kV. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.