Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -11A, 1, SO, SO-8, 30 v - FDS6675BZ

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -11A, 1, SO, SO-8, 30 v - FDS6675BZ. Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, -30V, -11A, 1, SO, SO-8, 30 v. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Vivienda (norma JEDEC): 1. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 200 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2470pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Marcado del fabricante: Rango VGS extendido (-25 V) para aplicaciones que funcionan con baterías. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: FDS6675BZ. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.