Transistor de canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V - FQB27P06TM

Transistor de canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V - FQB27P06TM. Transistor de canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1100pF. Costo): 510pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 102A. DI (T=100°C): 19.1A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.055 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.