Transistor de canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V - FQP3P50

Transistor de canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V - FQP3P50. Transistor de canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO220. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 510pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 10.8A. DI (T=100°C): 1.71A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Resistencia en encendido Rds activado: 3.9 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.