Transistor de canal P, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - FQU11P06

Transistor de canal P, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - FQU11P06. Transistor de canal P, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 9.4A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 420pF. Costo): 195pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 83 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 37.6A. DI (T=100°C): 5.95A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 6.5 ns. Tecnología: DMOS POWER-MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 03:25.