Transistor de canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210

Transistor de canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210. Transistor de canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2700pF. Costo): 790pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 140A. DI (T=100°C): 29A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 79 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 09:25.