Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.57€ | 5.53€ |
5 - 9 | 4.34€ | 5.25€ |
10 - 24 | 4.11€ | 4.97€ |
25 - 49 | 3.88€ | 4.69€ |
50 - 99 | 3.79€ | 4.59€ |
100 - 365 | 3.56€ | 4.31€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.57€ | 5.53€ |
5 - 9 | 4.34€ | 5.25€ |
10 - 24 | 4.11€ | 4.97€ |
25 - 49 | 3.88€ | 4.69€ |
50 - 99 | 3.79€ | 4.59€ |
100 - 365 | 3.56€ | 4.31€ |
Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -40A - IRF5210SPBF. Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -40A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F5210S. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 79 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2700pF. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.
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