Transistor de canal P, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9530N

Transistor de canal P, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9530N. Transistor de canal P, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 760pF. Costo): 260pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 56A. DI (T=100°C): 10A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.