Transistor de canal P, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9622

Transistor de canal P, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9622. Transistor de canal P, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 1.5A. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 2.4 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Producto original del fabricante Harris. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 14:25.