Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.67€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.59€ |
10 - 24 | 1.27€ | 1.54€ |
25 - 49 | 1.24€ | 1.50€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.48€ |
100 - 249 | 1.07€ | 1.29€ |
250 - 644 | 1.03€ | 1.25€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.67€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.59€ |
10 - 24 | 1.27€ | 1.54€ |
25 - 49 | 1.24€ | 1.50€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.48€ |
100 - 249 | 1.07€ | 1.29€ |
250 - 644 | 1.03€ | 1.25€ |
Transistor de canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF9Z34NS. Transistor de canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 620pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 68A. DI (T=100°C): 14A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 15:25.
Información y ayuda técnica.
Pago y entrega
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.