Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9014

Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9014. Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 270pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: FET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 8.8A. DI (T=100°C): 0.8A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.