Transistor de canal P, soldadura de PCB, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms - IRFD9110PBF

Transistor de canal P, soldadura de PCB, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms - IRFD9110PBF. Transistor de canal P, soldadura de PCB, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP4. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Vivienda (norma JEDEC): 1.2 Ohms. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Marcado del fabricante: IRFD9110PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 200pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.3W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.