Transistor de canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120

Transistor de canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120. Transistor de canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 0.6A. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.6 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.