Transistor de canal P, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V - IRFD9220

Transistor de canal P, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V - IRFD9220. Transistor de canal P, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. DI (T=25°C): 0.56A. Idss (máx.): 0.56A. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 0.34A. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.