Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V - IRFL9110

Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V - IRFL9110. Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 200pF. Costo): 94pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 8.8A. DI (T=100°C): 0.69A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.