Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81€ | 0.98€ |
5 - 9 | 0.76€ | 0.92€ |
10 - 24 | 0.72€ | 0.87€ |
25 - 49 | 0.68€ | 0.82€ |
50 - 99 | 0.67€ | 0.81€ |
100 - 178 | 0.67€ | 0.81€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81€ | 0.98€ |
5 - 9 | 0.76€ | 0.92€ |
10 - 24 | 0.72€ | 0.87€ |
25 - 49 | 0.68€ | 0.82€ |
50 - 99 | 0.67€ | 0.81€ |
100 - 178 | 0.67€ | 0.81€ |
Transistor de canal P, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR5305. Transistor de canal P, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 71ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 110A. DI (T=100°C): 22A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: IRFR5305. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.065 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.
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