Transistor de canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120
| Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.88€ | 1.06€ |
| 5 - 9 | 0.83€ | 1.00€ |
| 10 - 24 | 0.79€ | 0.96€ |
| 25 - 49 | 0.75€ | 0.91€ |
| 50 - 99 | 0.73€ | 0.88€ |
| 100 - 249 | 0.71€ | 0.86€ |
| 250+ | 0.68€ | 0.82€ |
| Cantidad | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.88€ | 1.06€ |
| 5 - 9 | 0.83€ | 1.00€ |
| 10 - 24 | 0.79€ | 0.96€ |
| 25 - 49 | 0.75€ | 0.91€ |
| 50 - 99 | 0.73€ | 0.88€ |
| 100 - 249 | 0.71€ | 0.86€ |
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Transistor de canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120. Transistor de canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 5.6A. Vivienda (según ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Voltaje Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 3.6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.6 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 15:25.
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Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 350pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26A. DI (T=100°C): 4.2A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 350pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26A. DI (T=100°C): 4.2A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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