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Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRFR9120N

Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRFR9120N
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1 - 4 1.13€ 1.37€
5 - 9 1.07€ 1.29€
10 - 17 1.02€ 1.23€
Cantidad U.P
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Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRFR9120N. Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 350pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 26A. DI (T=100°C): 4.2A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 15:25.

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