Transistor de canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203

Transistor de canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML5203. Transistor de canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 510pF. Costo): 71pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Identificación (diablillo): 24A. DI (T=100°C): 2.4A. IDss (mín.): 1uA. Nota: serigrafía/código SMD H. Marcado en la caja: H. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.098 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 15:25.