Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.35€ | 0.42€ |
10 - 24 | 0.33€ | 0.40€ |
25 - 49 | 0.32€ | 0.39€ |
50 - 99 | 0.30€ | 0.36€ |
100 - 249 | 0.29€ | 0.35€ |
250 - 309 | 0.26€ | 0.31€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.35€ | 0.42€ |
10 - 24 | 0.33€ | 0.40€ |
25 - 49 | 0.32€ | 0.39€ |
50 - 99 | 0.30€ | 0.36€ |
100 - 249 | 0.29€ | 0.35€ |
250 - 309 | 0.26€ | 0.31€ |
Transistor de canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V - IRLML6402. Transistor de canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 633pF. Costo): 145pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultra Low On-Resistance. Identificación (diablillo): 22A. DI (T=100°C): 2.2A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.05 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 588 ns. Td(encendido): 350 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 1.2V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 15:25.
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