Transistor de canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - NDS0610

Transistor de canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - NDS0610. Transistor de canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. DI (T=25°C): 0.12A. Idss (máx.): 200uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 79pF. Costo): 10pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Interruptor de señal pequeña de canal P controlado por voltaje, diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON). Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 1A. IDss (mín.): 1uA. Nota: serigrafía/código SMD 610. Marcado en la caja: 610. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 2.5 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 14:25.