Transistor de canal P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V - NDS332P

Transistor de canal P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V - NDS332P. Transistor de canal P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: SSOT. Vivienda (según ficha técnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 195pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 1uA. IGF: 1A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 8 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 09:25.