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Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM

Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM
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1 - 4 2.04€ 2.47€
5 - 9 1.94€ 2.35€
10 - 24 1.83€ 2.21€
25 - 49 1.73€ 2.09€
50 - 99 1.69€ 2.04€
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Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM. Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 125us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. DI (T=100°C): 6A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: D8P05. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: Power MOSFET MegaFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: ID pulse 20A. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.

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SPD08P06P

SPD08P06P

Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI ...
SPD08P06P
Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 335pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (mín.): 0.1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protección G-S: NINCS
SPD08P06P
Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 335pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (mín.): 0.1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protección G-S: NINCS
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