Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v - RSQ035P03

Transistor de canal P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v - RSQ035P03
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 0.91€ 1.10€
5 - 9 0.86€ 1.04€
10 - 24 0.84€ 1.02€
25 - 49 0.82€ 0.99€
50 - 65 0.80€ 0.97€
Cantidad U.P
1 - 4 0.91€ 1.10€
5 - 9 0.86€ 1.04€
10 - 24 0.84€ 1.02€
25 - 49 0.82€ 0.99€
50 - 65 0.80€ 0.97€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 65
Conjunto de 1

Transistor de canal P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v - RSQ035P03. Transistor de canal P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): TSMT6. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 780pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidor de voltaje CC-CC. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: TM. Número de terminales: 6. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Resistencia en encendido Rds activado: 65m Ohms. RoHS: sí. Paso: 2.9x1.6mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante ROHM. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 03:25.

Productos equivalentes :

Cantidad en inventario : 26
FDC365P

FDC365P

Transistor de canal P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 1uA. Vivi...
FDC365P
Transistor de canal P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6. Voltaje Vds(máx.): 35V. C(pulg): 530pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Inversores, fuentes de alimentación. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Nota: serigrafía/código SMD 365P. Marcado en la caja: 365 P. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: PowerTrench® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V
FDC365P
Transistor de canal P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6. Voltaje Vds(máx.): 35V. C(pulg): 530pF. Costo): 105pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Inversores, fuentes de alimentación. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Nota: serigrafía/código SMD 365P. Marcado en la caja: 365 P. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: PowerTrench® MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V
Conjunto de 1
0.59€ IVA incl.
(0.49€ sin IVA)
0.59€

También recomendamos :

También recomendamos :

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.