Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.43€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.32€ |
25 - 49 | 1.07€ | 1.29€ |
50 - 99 | 1.04€ | 1.26€ |
100 - 249 | 0.63€ | 0.76€ |
250 - 6071 | 0.61€ | 0.74€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.43€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.32€ |
25 - 49 | 1.07€ | 1.29€ |
50 - 99 | 1.04€ | 1.26€ |
100 - 249 | 0.63€ | 0.76€ |
250 - 6071 | 0.61€ | 0.74€ |
Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A - SI2309CDS-T1-GE3. Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: N9. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 210pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.7W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 05:25.
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