Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.6A - SI4431CDY-T1-GE3

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.6A - SI4431CDY-T1-GE3. Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.6A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI4431CDY-T1-GE3. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1006pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 06:25.