Transistor de canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v - SI4925BDY

Transistor de canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v - SI4925BDY. Transistor de canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.1A. Idss (máx.): 7.1A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Protección G-S: NINCS. DI (T=100°C): 5.7A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 05:25.