Transistor de canal P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY

Transistor de canal P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY. Transistor de canal P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 10nA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 600pF. Costo): 70pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. DI (T=100°C): 3.8A. IDss (mín.): 1nA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.2W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.