Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A - SI9953DY

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A - SI9953DY. Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: SI9953DY. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 40 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 500pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 03:25.