Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA

Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FGA40N65SMD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 650V. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 120ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 174W. Corriente máxima del colector (A): 60.4k Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 01:25.