Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210
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25 - 49 0.29€ 0.35€
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 4pF. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 30 MHz. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 200. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Velocidad: 4.5V. Función: Preamplificador HI-FI de bajo ruido. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

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Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BC547B. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 45V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor NPN. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) BC557B
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. C(pulg): 8pF. Costo): 4pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Construcción de matriz plana epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB
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