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Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V - 2SA916

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V - 2SA916
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Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V - 2SA916. Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Corriente del colector: 0.05A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92L. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Función: NF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Producto original del fabricante Nec. Cantidad en stock actualizada el 15/05/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementario (par) BF420. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 80 MHz. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 100mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementario (par) BF420. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano triple difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V
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