Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940. Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: TV-HA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2073. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Pmc. Cantidad en stock actualizada el 15/05/2025, 07:25.

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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 55pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) KSC2073. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corriente del colector: 1.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 55pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementario (par) KSC2073. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Resistencia B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 47. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: transistor PNP. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1138. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V
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Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corriente del colector: 2A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Resistencia B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 47. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: transistor PNP. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Spec info: transistor complementario (par) 2SD1138. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V
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